亚马逊关键词，是用户对特定商品的一种定义，比如：headphones for kids。 当同一个关键词被很多…
Kasm Workspace 是著名的可浏览器访问的、基于容器的镜像管理和部署系统。使用 Kasm Works…
01 GaN 异质衬底 外延生长方法 由于 GaN 在高温生长时 N 的离解压很高，很难得到大尺寸的…
很多男性在发现老婆怀孕以后，十分欣喜，可是转头就把照顾孕妇的任务交给了家中老人。然而，《中国妇幼保健杂志》曾发…
你刚得知你们将要有小宝宝！无论这是一个意外的惊喜还是本来的计划，你可能想知道你能做些什么，以让她未来 9 个月…
实操网站域名从 hilogos.com 更换为 aizylo.com ✅ 一、域名解析设置（DNS） ⚠️ 一…
背景： 我会经常备份我的网站数据，备份数据时只需要备份网站数据和数据库数据。 例如我所备份的网站为 sulet…
在半导体工艺中，通常会有 深 N 阱（DNwell，Deep N-well），但很少见到 深 P 阱（DPwe…
SRAM 01 什么是 SRAM？ SRAM，全称为静态随机存取存储器（Static Random Acces…
在 CMOS 工艺中，除了标准的 PMOS 和 NMOS，还会有 Native MOS…
WEE（Wafer Edge Exposure，晶圆边缘曝光） 是光刻（Lithography）工艺中的一个关…
EBR（Edge Bead Removal，边缘去胶） 是半导体制造工艺中用于去除 …
在半导体制造过程中，IMP（Ion Implantation，离子注入）层 和 ET…
MOS 管内部结构 左图为 npn 型三极管，通过三极管结构对比看 MOS 管，下边进行分析 M…
一、结构原理 1.1 结构组成 MOM 电容是利用 同层金属层之间的交叉叠加 形成的金属 – 氧化物 – 金属…
随着智能手机、电脑等电子设备不断追求轻薄化，芯片中的晶体管尺寸已缩小至纳米级（如 3nm、2nm）。但尺寸缩小…
MOM（Metal-Oxide-Metal Overlap）电容和 MIM（Metal-Insulator-M…
一、先进工艺使用 MOM 电容的动因：六大维度详解 1. 版图资源的重构：金属层越来越多，适合 MOM 架构 …
在 MOS 器件设计中，“finger（指型）”和“multiplier（倍乘）”是描述晶体管布局结构中 几何…
eFuse（electronic fuse，电子熔丝）是一种集成在芯片内部、用于一次性或有限次可编程存储的小型…
1. 光学系统的基本原理与物理限制 1.1 投影光学的工作原理 1.2 掩模（Reticle）与缩小倍率 2….
STI（Shallow Trench Isolation，浅沟槽隔离）逐渐取代 LOCOS（Local Oxi…
在钨（W）镀膜前，通常会先沉积 Ti（钛） 和 TiN（氮化钛） …
概述 硅晶圆的不同晶向（如〈100〉、〈110〉、〈111〉）对应晶体学中的不同晶格平面，在电子迁移率、氧化速…
杨绛先生在《一百岁感言》中说:“我们曾如此渴望命运的波澜，到最后才发现，人生最曼妙的风景，竟是内心的淡定与从容…
MOSFET 的电性参数控制对集成电路甚为重要，然而也受制程的影响最多。栅极氧化层是 MOSFET 的核心组成…
制程异常就像车间里的“隐形刺客”，稍不留神就会让良率暴跌、成本飙升。今天，我就帮你彻底搞懂制程异常的 预防、识…
热载流子注入效应（Hot Carrier Injection, HCI）是指在半导体器件中，由于载流子的热激发…
之前在写封装可靠性流程的时候，注意到 JESD47 文件在介绍 THB、BHAST、UHAST 时，对这三组实…
STI（浅沟槽隔离）、DTI（深沟槽隔离）和 LOCOS（局部氧化硅）是半导体制造中用于隔离不同器件（如晶体管…
